Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 HMA851S6CJR6N-VK
Артикул: 00890
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 HMA851S6CJR6N-VK
Увеличить изображение
Другие фото Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 HMA851S6CJR6N-VK
2 400 рублей
Товар есть в наличии

Условия доставки

Вариант 1: Самовывоз "ТК Савеловский", пав. П-163

Стоимость доставки: 0 рублей
Вариант 2: Доставка по Москве в пределах МКАД, оплата при получении

Стоимость доставки: 500 рублей
Вариант 3: Доставка до Московского терминала ТК "СДЭК" "BOXBERY" 200 руб, при 100% предоплате

Стоимость доставки: 200 рублей

Характеристики Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 HMA851S6CJR6N-VK

Напряжение питания

 1.2 В

Объем памяти

 4 Гб

Производитель

 Hynix

Пропускная способность

 PC21300

Тактовая частота

 2666 МГц

Тип памяти

 DDR4 SODIMM 260-pin

С этим товаром смотрят

Модуль памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb M471B5273DH0-CK0

Модуль памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb M471B5273DH0-CK0

1 850 рублей